美国SVT公司ALD原子层沉积系统

NorthStar 原子层沉积系统是多元化研究型沉积设备，包括热生长ALD以及能量增强ALD。

设备可容纳8个前驱源，采用热壁腔室，一台设备可以沉积多种薄膜。

设计有快速门，装取样品方便快捷，装载室可选。

NorthStar ALD系统可与其他生长设备或分析设备相连。

在线分析仪器可选，RoboALD软件/系统自动化提高工艺再现性。

可在粉末、颗粒等不规则形状样品上沉积

热生长模式包含横向流动模式以及垂直流动模式

可实现完整的超高真空升级。

提供工艺演示以及工艺服务。

应用

● 高k介质  

● 扩散阻挡层

● 纳米涂层

● 器件保护层

● MEMS

● 表面修正层

● 光子晶体

ALD-P-200B规格

ALD反应室模块

反应室    可容纳8’’（200mm）样品（300mm可选） 

  热壁腔室设计-温度可控（UHV兼容热壁腔室可选）

    3个入口（2个前驱源入口，1个气体入口）

  密闭耦合样品加热可达500^oC

  装载室法兰，泵抽端口

  提供QCM及RGA

泵组      双级旋叶泵-7cfm（200l/min）

                  加热泵管道，阀门将其隔离             

                  热阱可选，颗粒过滤器，管道中配有冷阱

                  其他泵组可选

本底压强   <1X10^-3Torr 或更低

真空规    全量程规

电子部件  控制单元电子部件

          样品加热电源及控制器

          腔室壁加热电源，热偶及温度控制器

          气路管道加热电源，热偶及温度控制器

控制台    兼容超净间

前驱源集合管

载气管道  每个集合管配1路载气（一般N2），MFC控制

前驱源    前驱源可以是液体、固体或气体

每个集合管可连接4路前驱源，集合管可加热（2个集合管对应8路前驱源）

          高温快速ALD阀门（15msec）

          金属VCR接口

          管道加入可达200^oC

工艺控制

Robo-ALD^TM 软件及硬件-PLC

          基于NI LabVIEW平台设计

          可编写程序

          工艺操作日志可输出至excel

          自动泵抽/充气

均一性       <±1%，200mm样品-以Al2O3为参考，厚度>20nm

生长模式  标准模式（热生长、等离子增强）或“浸泡”模式（用于高深宽比样品）

 装载室（可选）

装载腔室 可容纳300mm样品

         手动闸板阀

安全     软件中有安全互锁

         气柜中烟雾探测器

         电源紧急关机按钮

         单线电源连接

外围要求

电源要求 220/380 VAC，50A，单相或3相，50-   60Hz

压缩空气/N2/Ar

阀门操控 75psi CDA流量0.1cfm（500Kpa 流量2.8L/min）

         压强可调

         也可使用相对湿度<20% 的N2

载气     5psi（35KPa）纯 N2或Ar用于腔室充气

尾气     真空泵抽，气柜中排风

冷却水

反应室   内部腔室壁>150^oC时，用20^oC、2 l/ min水流量，或用冷水机